服務(wù)項(xiàng)目
Project我們的項(xiàng)目
非破壞性分析
電性檢測(cè)
失效點(diǎn)定位
破壞性物理分析
物理分析
工程樣品封裝服務(wù)
競(jìng)爭(zhēng)力分析
剖面/晶背研磨
離子束剖面研磨(CP)
掃描式電子顯微鏡(SEM)
利用砂紙或鉆石砂紙，搭配研磨頭作局部研磨(Polishing)，加上后續(xù)的拋光，可處理出清晰的樣品表面。剖面、斷面研磨與晶背研磨(Backside Polishing)，都是為了可以銜接后續(xù)的分析檢測(cè)。
（1）研磨(Polishing)基本流程 （2）切割：利用切割機(jī)裁將樣品裁切成適當(dāng)尺寸； （3）冷埋：利用混合膠填滿(mǎn)樣品隙縫，增強(qiáng)樣品之結(jié)構(gòu)強(qiáng)度，避免受研磨應(yīng)力而造樣品毀損； （4）研磨：樣品以不同粗細(xì)之砂紙 (或鉆石砂紙)，進(jìn)行研磨； （5）拋光：于絨布轉(zhuǎn)盤(pán)上加入適當(dāng)?shù)膾伖庖海M(jìn)行拋光以消除研磨所殘留的細(xì)微刮痕。
芯片產(chǎn)品，如覆晶封裝( Flip Chip)、鋁/銅制程結(jié)構(gòu)、C-MOS Image Sensor； PCB/PCBA等各種板材或成品；LED成品
