服務項目
Project我們的項目
非破壞性分析
電性檢測
失效點定位
破壞性物理分析
物理分析
工程樣品封裝服務
競爭力分析
半導體組建參數(shù)分析
電特性測試
點陣信號量測
靜電放電/過度電性應力/閂鎖試驗
利用SMU(Source measurement unit)供應電壓或電流，驗證與量測半導體組件特性(Diode I-V Curve、MOSFET特性曲線等)。如電容-電壓特性曲線、電壓-電流(IV)、電阻、電容、電感值量測或信號波形等， 藉此了解組件的故障行為，以利后續(xù)的分析動作。
（1）CMOS 晶體管 Id-Vg、Id-Vd、Vth、擊穿、電容和 QSCV （2）雙極晶體管 Ic-Vc、二極管、Gummel 曲線圖、擊穿和電容等 （3）分立器件 Id-Vg、Id-Vd、Ic-Vc、二極管等 （4）內(nèi)存 Vth、電容、耐久性測試 （5）功率器件 脈沖 Id-Vg、脈沖 Id-Vd、擊穿 （6）納米器件 電阻、Id-Vg、Id-Vd、Ic-Vc （7）可靠性測試 NBTI/PBTI、電荷泵、電遷移、熱載流子注入、斜坡電流（J-Ramp）、TDDB 等
晶體管、分立器件、功率器件、納米器件
